メタ情報
| meta description平均長 | 52.23 |
|---|
| OGPありページ数 | 31 |
|---|
| Twitterカードありページ数 | 31 |
|---|
内部リンク分析(Internal)
| ユニーク内部リンク数 | 114 |
|---|
| ページあたり内部リンク平均 | 117.44 |
|---|
キーワード分析(KeywordMap)
ワードクラウド上位
| 語 | 重み |
|---|
| Kimoto | 1 |
| Kaneko | 0.973449 |
| SiC | 0.658403 |
| Mikami | 0.633944 |
| Power | 0.545131 |
| Int | 0.506193 |
| Materials | 0.456136 |
| Conf | 0.436177 |
| Devices | 0.429107 |
| 金子 | 0.400386 |
| Silicon | 0.395175 |
| Carbide | 0.395175 |
| Related | 0.395175 |
| Semiconductor | 0.387713 |
| Busan | 0.387713 |
| Korea | 0.387713 |
| electron | 0.352941 |
| 4H | 0.350442 |
| 光顕 | 0.350442 |
| MOSFETs | 0.33375 |
| 木本 | 0.309911 |
| 恒暢 | 0.300289 |
| 京大院工 | 0.290785 |
| 学部4回生 | 0.290785 |
| 三上 | 0.266924 |
| 杏太 | 0.266924 |
| Chi | 0.266924 |
| Conference | 0.26345 |
| Future | 0.242321 |
| invited | 0.242321 |
| Workshop | 0.242321 |
| N322 | 0.242321 |
| リンク | 0.233628 |
| Appl | 0.233628 |
| Phys | 0.233628 |
| Tanaka | 0.233628 |
| Tachiki | 0.233628 |
| 修士課程1回生 | 0.233558 |
| Japan | 0.233558 |
| において | 0.218741 |
| channel | 0.21076 |
| 修士課程2回生 | 0.200193 |
| Ishikawa | 0.19469 |
| Ito | 0.19469 |
| 連絡先 | 0.19469 |
| A1 | 0.19469 |
| Tel | 0.19469 |
| Fax | 0.19469 |
| 研究室共用 | 0.19469 |
| SiO | 0.193857 |
共起語上位
| 語1 | 語2 | スコア | 共起ページ数 |
|---|
| Carbide | Silicon | 3.603266 | 60 |
| Carbide | Related | 3.37564 | 55 |
| Materials | Related | 3.185015 | 58 |
| 三上 | 杏太 | 3.140469 | 32 |
| Busan | Korea | 3.069129 | 30 |
| 恒暢 | 木本 | 2.94177 | 36 |
| Appl | Phys | 2.918681 | 24 |
| 光顕 | 金子 | 2.904777 | 34 |
| Conf | Int | 2.879083 | 36 |
| impacts | its | 2.749414 | 20 |
| A1 | Tel | 2.749414 | 20 |
| Fax | 研究室共用 | 2.749414 | 20 |
| Kaneko | Mikami | 2.667963 | 59 |
| Related | Silicon | 2.65822 | 42 |
| kuee | kyoto | 2.571282 | 16 |
| 9p | 9月9日 | 2.571282 | 16 |
| Conf | Silicon | 2.487789 | 32 |
| charges | fixed | 2.464275 | 16 |
| its | trapping | 2.440316 | 16 |
| が授与対象です | 学術芸術上の発明改良創作に関して事績の著しい者 | 2.375753 | 12 |
| electron | trapping | 2.363683 | 20 |
| First | order | 2.341156 | 12 |
| SPICE | order | 2.341156 | 12 |
| SPICE | modeling | 2.341156 | 12 |
| gate | side | 2.341156 | 12 |
| に関する功績 | 発明改良 | 2.341156 | 12 |
| により紫綬褒章を受章しました | 発明改良 | 2.341156 | 12 |
| により紫綬褒章を受章しました | 紫綬褒章は | 2.341156 | 12 |
| 学術芸術上の発明改良創作に関して事績の著しい者 | 紫綬褒章は | 2.341156 | 12 |
| プロセス技術 | 化合物及びパワーデバイス | 2.341156 | 12 |
| ありがとうございました | 当日は遠方から多くの卒業生の方にご参加いただきました | 2.325309 | 11 |
| Busan | Materials | 2.322018 | 31 |
| Carbide | Materials | 2.312272 | 41 |
| Fax | Tel | 2.30935 | 16 |
| 京大院工 | 恒暢 | 2.253528 | 19 |
| Kaneko | Kimoto | 2.250697 | 66 |
| Research | Southampton | 2.249729 | 12 |
| Japan | Joint | 2.242836 | 16 |
| 9月29日 | ICSCRM | 2.222617 | 12 |
| electron | its | 2.216129 | 20 |
| electron | impacts | 2.216129 | 20 |
| Doping | dependent | 2.196895 | 12 |
| JFETs | gate | 2.196895 | 12 |
| JFETs | toward | 2.196895 | 12 |
| Joint | Opportunity | 2.196895 | 12 |
| に関する功績 | 炭化珪素半導体材料および電力用素子の開発 | 2.196895 | 12 |
| Xilun | 熙倫 | 2.188596 | 11 |
| 令和7年春の褒章において | 木本恒暢教授が | 2.140066 | 12 |
| D3 | 熙倫君 | 2.10841 | 8 |
| Hiroki | 弘樹 | 2.103466 | 8 |
被リンク情報
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