基本情報
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内部リンク分析(Internal)
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キーワード分析(KeywordMap)
ワードクラウド上位
| 語 | 重み |
|---|---|
| の公式サイトはこちら | 1 |
| International | 0.47619 |
| について | 0.4005 |
| 詳しく見る | 0.4005 |
| バンドギャップ解析 | 0.388916 |
| CVDSim3Dは | 0.380952 |
| Conference | 0.380952 |
| など | 0.327682 |
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| 結晶成長解析 | 0.194458 |
| 気相からの結晶成長 | 0.194458 |
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| 発光デバイスの | 0.097229 |
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共起語上位
| 語1 | 語2 | スコア | 共起ページ数 |
|---|---|---|---|
| 2次元解析 | 気相からの結晶成長 | 3.590395 | 55 |
| 受託解析 | 株式会社は | 3.552118 | 44 |
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| エピタキシャル成長中の応力 | 歪み解析 | 3.357407 | 48 |
| 光などの | 特性シミュレーション | 3.297573 | 44 |
| NEWS | 特性シミュレーション | 3.297573 | 44 |
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| PRODUCTS | 発表事例をもっと見る | 3.297573 | 44 |
| MPCVD法によるダイヤモンド結晶成長解析 | 結晶成長解析ソフトウェアを全て見る | 3.297573 | 44 |
| 発光デバイスの | 結晶成長解析ソフトウェアを全て見る | 3.297573 | 44 |
| LEDの光取り出し解析 | LEDの熱と電流解析 | 3.297573 | 44 |
| LEDの光取り出し解析 | 半導体太陽電池の | 3.297573 | 44 |
| Research | グループの日本現地法人である | 3.297573 | 44 |
| Japan | 株式会社は | 3.297573 | 44 |
| コンサルティングを提供します | 受託解析 | 3.246487 | 33 |
| デバイス解析 | 光学 | 3.217489 | 44 |
| Semiconductor | Technology | 3.198483 | 47 |
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| 光などの | 電気 | 3.198317 | 44 |
| 3次元解析 | エピタキシャル成長中の応力 | 3.198317 | 44 |
| MPCVD法によるダイヤモンド結晶成長解析 | 歪み解析 | 3.198317 | 44 |
| Semiconductor | デバイス解析ソフトウェアを全て見る | 3.198317 | 44 |
| STR | グループの日本現地法人である | 3.198317 | 44 |
| Japan | STR | 3.198317 | 44 |
| について | 詳しく見る | 3.172661 | 38 |
| PRODUCTS | シーメンス法による多結晶シリコン結晶成長解析 | 3.124696 | 44 |
| シーメンス法による多結晶シリコン結晶成長解析 | 融液と溶液からの | 3.124696 | 44 |
| Research | Technology | 3.10701 | 44 |
| コンサルティングを提供します | 株式会社は | 3.0294 | 33 |
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| LEDの熱と電流解析 | バンドギャップ解析 | 2.790166 | 55 |
| LEDの光取り出し解析 | バンドギャップ解析 | 2.790166 | 55 |
| バンドギャップ解析 | 半導体太陽電池の | 2.790166 | 55 |
| III族窒化物HEMTの | バンドギャップ解析 | 2.790166 | 55 |
| III族窒化物超格子の | バンドギャップ解析 | 2.790166 | 55 |
| Japan | 受託解析 | 2.749526 | 33 |
| ADVANTAGE | 当社のシミュレーションソフトウェアは | 2.672966 | 17 |
| Conference | International | 2.634598 | 29 |
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| ADVANTAGES | 受託解析 | 2.596227 | 22 |
| 結晶成長中の熱流体 | 電磁場 | 2.585287 | 36 |
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