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nanoplatform.osaka-u.ac.jp サイト解析まとめ

基本情報

サイトトップhttps://nanoplatform.osaka-u.ac.jp

HTMLサイズ

1ページ平均HTML（バイト）234696.67

内部リンク集計

リンク総数81

外部リンク集計

リンク総数18

メタ情報

meta description平均長0
OGPありページ数0
Twitterカードありページ数0

HTML言語 分布

キー割合
ja100.00%

文字コード 分布

キー割合
utf-8100.00%

内部リンク分析（Internal）

ユニーク内部リンク数81
ページあたり内部リンク平均51

内部リンク 深さヒストグラム

キー値
0107
1657
2140
514

内部リンク 上位URL

URLリンク総数
https://nanoplatform.osaka-u.ac.jp/107
https://nanoplatform.osaka-u.ac.jp/access/72
https://nanoplatform.osaka-u.ac.jp/facilities/55
https://nanoplatform.osaka-u.ac.jp/event/55
https://nanoplatform.osaka-u.ac.jp/about/54
https://nanoplatform.osaka-u.ac.jp/howtouse/54
https://nanoplatform.osaka-u.ac.jp/achievements/54
https://nanoplatform.osaka-u.ac.jp/qanda/54
https://nanoplatform.osaka-u.ac.jp/contact37
https://nanoplatform.osaka-u.ac.jp/tag/2025/22
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https://nanoplatform.osaka-u.ac.jp/contact/19
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連絡先候補（Contacts）

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キーワード分析（KeywordMap）

ワードクラウド上位

語重み
機器利用1
株式会社エリオニクス0.615385
大阪大学0.526565
杉原0.461538
達記0.461538
service0.404758
必須0.404758
マテリアル先端リサーチインフラ0.31364
記事が見つかりませんでした0.307692
オンライン0.303569
下車0.303569
こちら0.264519
10NOU0.263283
現在使用停止中0.263283
Research0.250912
また0.250912
なお0.250912
ガス銃0.230769
ガス銃装備0.230769
InLens0.230769
EsB0.230769
N010.230769
深掘りエッチング装置0.230769
400iPB0.230769
deep0.230769
誘電結合方式0.230769
ICP0.230769
1分間に0.230769
以上の0.230769
エッチングが可能0.230769
ARIM事業では0.230769
産業科学研究所0.230769
による配線修復が可能0.22712
ステージサイズ0.22712
MEMS0.224222
による気相蒸着で0.218399
I240.210626
10NR0.210626
I230.210626
N020.210626
お申込み0.210626
NPVE0.205779
イオンによる0.205779
加工および加工時の0.205779
観察が可能0.205779
EB蒸着0.202379
現地開催0.202379
2025年0.202379
https0.202379
nanonet0.202379

共起語上位

語1語2スコア共起ページ数
装置番号設置場所5.9825161512
CHFプロセスガス4.832437216
ELSエリオニクス4.832437216
RIEサムコ株式会社4.809928216
SVCサンユー電子4.513158144
700LRFSVC4.513158144
保証値ではありません実験条件によるものであり4.513158144
ベクタースキャン方式描画方式4.513158144
イメージングライン照射4.513158144
イメージングスポット照射4.513158144
スポット照射マッピング4.513158144
Apparatuspreparation4.513158144
KriosTitan4.513158144
EELSSTEM4.513158144
BioScience4.484698144
BioMaterials4.430015144
ARIM装置番号装置番号4.3994271134
system特徴4.223846846
MLA150ハイデルベルグ4.22237190
Qualitymode4.22237190
分析分野計測4.187715100
材料合成プロセス分野物質4.173666100
inch最大4.158726504
MDSモンタージュ撮影4.142494126
700LRFsputtering4.091986144
サムコ株式会社リアクティブエッチング装置4.063525144
大阪大学超高圧電子顕微鏡センター内大阪府茨木市美穂ヶ丘74.02984380
デバイスプロセス分野物質3.98861893
ナノテクノロジー総合研究棟大阪大学産業科学研究所3.98680676
N棟ナノテクノロジー総合研究棟3.98680676
N409N棟3.98680676
N409N4113.98680676
OsakaUniversity3.98680676
大阪大学産業科学研究所大阪府茨木市美穂ヶ丘83.94577476
AlignerMaskless3.9413272
ラピッドプロトタイピング本装置は3.9413272
ラピッドプロトタイピング少量から中量生産3.9413272
マスク不要の非接触レーザー露光装置です研究開発環境に適応可能な3.9413272
minエリアに対する露光所要時間3.9413272
Fastmin3.9413272
エリアに対するオーバーレイ精度最大基板サイズ3.9413272
最大露光エリア最小基板サイズ3.9413272
搭載基板厚さ最大露光エリア3.9413272
干渉計分解能搭載基板厚さ3.9413272
20nm干渉計分解能3.9413272
375nm半導体レーザー3.9413272
375nm405nm3.9413272
40DNvision3.9413272
40DNPVE3.9413272
EsBInLens3.9413272

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