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www.patentix.co.jp サイト解析まとめ

基本情報

サイトトップhttps://www.patentix.co.jp

HTMLサイズ

1ページ平均HTML（バイト）272440.18

内部リンク集計

リンク総数59

外部リンク集計

リンク総数2

メタ情報

meta description平均長0
OGPありページ数0
Twitterカードありページ数0

HTML言語 分布

キー割合
en-us100.00%

文字コード 分布

キー割合
utf-8100.00%

内部リンク分析（Internal）

ユニーク内部リンク数59
ページあたり内部リンク平均22.65

内部リンク 深さヒストグラム

キー値
068
1253
227
329
44
54

内部リンク 上位URL

URLリンク総数
https://www.patentix.co.jp/68
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https://www.patentix.co.jp/business/28
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https://www.patentix.co.jp/contact/28
https://www.patentix.co.jp/category/news/22
https://www.patentix.co.jp/2025/07/23/7
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連絡先候補（Contacts）

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キーワード分析（KeywordMap）

ワードクラウド上位

語重み
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2025年7月3日4日に行われた2.30572212
にて当社CDDO松田のポスター発表が2.30572212
を受賞いたしました記念品としてクリスタル置時計をいただきました2.30572212
受賞概要記念品としてクリスタル置時計をいただきました2.30572212
そしてイベント関係者の皆様に当日会場で熱心に質問や議論を交わしてくださった皆様2.30572212
そしてイベント関係者の皆様に心より感謝申し上げます2.30572212
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次世代半導体の開発加速７億円調達2.0635149
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4日に行われた実装フェスタ関西20252.00900712
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インパクトポスター賞当社CDDO松田のポスター発表が2.00900712
を受賞いたしましたインパクトポスター賞2.00900712
代表取締役衣斐豊祐1.9938368
立命館大学発ベンチャーであり超ワイドバンドギャップ半導体1.9938368
を用いた半導体基板パワーデバイスの研究開発を進めています1.9938368
GaNや窒化ガリウム1.9938368
GaNと比べてさらに大きなバンドギャップをもつため1.9938368
によるトランジスタやダイオードは高耐圧高出力1.9938368
高出力高効率1.9938368
低損失高効率1.9938368
という優れたパワーデバイス特性を備える事が期待されています低損失1.9938368
ミスト従来の霧1.9938368
今回の成果及び今後の予定安心な薄膜合成が可能となります1.9938368
エピ製膜技術の開発を進めてまいります写真の説明1.9938368
広報担当清水1.9938368

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