| 語1 | 語2 | スコア | 共起ページ数 |
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| https | www | 5.006397 | 596 |
| science | www | 5.006397 | 596 |
| com | science | 4.985631 | 596 |
| com | seminar | 4.964151 | 592 |
| Lightning | Theme | 4.153346 | 80 |
| オンラインとリアルの併用シンポジウムです | 弊社も幹事メンバーであるCVD反応分科会にて | 3.959816 | 84 |
| 対面のみ | 東京大学大学院教授の霜垣幸浩氏がALDに関するセミナー | 3.949236 | 84 |
| 以下個人的な私見です | 少し古くて恐縮ながら | 3.949236 | 84 |
| 今年の6月22日から開催されたALD | 少し古くて恐縮ながら | 3.949236 | 84 |
| ALE学会で注目したポイントを３つ挙げてみたいと思います | 今年の6月22日から開催されたALD | 3.949236 | 84 |
| センター | 大阪大学エマージングサイエンスデザインR | 3.949236 | 84 |
| センター | 特任教授 | 3.949236 | 84 |
| 名誉教授の教授浜口智志氏がALEに関するライブ配信セミナー | 特任教授 | 3.949236 | 84 |
| CVD反応分科会 | 弊社もメンバー | 3.949236 | 84 |
| 主催にて | 弊社もメンバー | 3.949236 | 84 |
| こちら | 詳細案内は | 3.949236 | 84 |
| こちら | にて | 3.949236 | 84 |
| 11月19日 | 視聴期間 | 3.949236 | 84 |
| 材料 | 第一線の研究者のプロセス | 3.912242 | 80 |
| 場所 | 是非ご参加を検討してみて下さい | 3.912242 | 80 |
| 場所 | 東京大学 | 3.912242 | 80 |
| 本郷キャンパス | 東京大学 | 3.912242 | 80 |
| 本郷キャンパス | 武田ホール | 3.912242 | 80 |
| 武田ホール | 武田先端知ビル5F | 3.912242 | 80 |
| 2025年10月31日 | 詳細はこちらをご覧下さい | 3.912242 | 80 |
| メタルMo | 今回は半導体関連ばかりが目につく年でした | 3.912242 | 80 |
| DRAM製造で世界１位に上り詰めたSK | メタルMo | 3.912242 | 80 |
| DRAM製造で世界１位に上り詰めたSK | HynixがNAND | 3.912242 | 80 |
| Flashメモリーにメタルモリブデン | HynixがNAND | 3.912242 | 80 |
| Flashメモリーにメタルモリブデン | を採用することを認めていました | 3.912242 | 80 |
| を採用することを認めていました | モリブデンは既に装置メーカー | 3.912242 | 80 |
| JX金属の子会社東邦チタニウム社 | と材料メーカーの | 3.912242 | 80 |
| JX金属の子会社東邦チタニウム社 | 発表よりもその大量生産での採用は間違いないと思われます | 3.912242 | 80 |
| Reseach社の説明にもある通り | 材料の変更は多大な研究と検証が必要なため | 3.912242 | 80 |
| 本当によくやられたと思います | 材料の変更は多大な研究と検証が必要なため | 3.912242 | 80 |
| 本当によくやられたと思います | 酸化物半導体 | 3.912242 | 80 |
| 昨年のALD | 酸化物半導体 | 3.912242 | 80 |
| とても感銘を受けました | 昨年のALD | 3.912242 | 80 |
| とても感銘を受けました | 今年も引き続き | 3.912242 | 80 |
| GAA | 今年も引き続き | 3.912242 | 80 |
| あるいはALD | 分子層堆積技術というALDの亜流と思われていたこのMLD | 3.912242 | 80 |
| MLDの混合技術 | あるいはALD | 3.912242 | 80 |
| MLDの混合技術 | の発表が増えておりました | 3.912242 | 80 |
| の発表が増えておりました | 日本では一般的には語られておりませんが | 3.912242 | 80 |
| ただでさえプロセスマージンが狭いのにです | 日本では一般的には語られておりませんが | 3.912242 | 80 |
| ただでさえプロセスマージンが狭いのにです | もしMLDでレジストが作れるならば | 3.912242 | 80 |
| もしMLDでレジストが作れるならば | レジストは極めて均一に成膜されるため | 3.912242 | 80 |
| プロセスマージンを大幅に緩和できると考えられます | レジストは極めて均一に成膜されるため | 3.912242 | 80 |
| MLDは下地の原子配列に沿うように成長するため | 弱点としては | 3.912242 | 80 |
| コストの増大と実績のなさでしょうか | 弱点としては | 3.912242 | 80 |