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plasma.oxinst.cn サイト解析まとめ

基本情報

サイトトップhttps://plasma.oxinst.cn

HTMLサイズ

1ページ平均HTML（バイト）121913

内部リンク集計

リンク総数172

外部リンク集計

リンク総数104

メタ情報

meta description平均長64.38
OGPありページ数24
Twitterカードありページ数24

HTML言語 分布

キー割合
zh100.00%

文字コード 分布

キー割合
utf-8100.00%

内部リンク分析（Internal）

ユニーク内部リンク数172
ページあたり内部リンク平均125.12

内部リンク 深さヒストグラム

キー値
084
1186
2684
32047
41
51

内部リンク 上位URL

URLリンク総数
https://plasma.oxinst.cn/84
https://plasma.oxinst.cn/support/72
https://plasma.oxinst.cn/support/upgrades/51
https://plasma.oxinst.cn/support/support-contracts49
https://plasma.oxinst.cn/campaigns/process/48
https://plasma.oxinst.cn/products/icp-etching/plasmapro-100-icp37
https://plasma.oxinst.cn/products/rie/plasmapro-10032
https://plasma.oxinst.cn/campaigns/technology/icp31
https://plasma.oxinst.cn/products/icp-etching/plasmapro-100-polaris31
https://plasma.oxinst.cn/products/ald/flexal31
https://plasma.oxinst.cn/campaigns/technology/ald30
https://plasma.oxinst.cn/products/pecvd/plasmapro-100-pecvd30
https://plasma.oxinst.cn/products/nanoscale-growth/PlasmaPro-100-Nano30
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https://plasma.oxinst.cn/campaigns/technology/pecvd29
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https://plasma.oxinst.cn/campaigns/markets/lasers28

キーワード分析（KeywordMap）

ワードクラウド上位

語重み
折扣1
PlasmaPro0.676971
它易于放置0.327156
便于使用0.327156
our0.27263
high0.254455
自给自足0.25
正常办公时间0.25
可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案0.245367
直开式设计可实现快速晶圆装卸0.245367
星期一至星期五0.208333
quality0.18793
Cobra0.18793
ALD0.180032
2学分0.166667
24小时内0.166667
4小时内0.166667
最多2次访问0.166667
可选择额外选项0.166667
每年至少一次功能发布0.166667
300mm0.164439
工艺提供了灵活的解决方案0.163578
是科学研究0.163578
80是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统0.163578
原型设计和小批量生产的理想选择0.163578
它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺0.163578
且能确保工艺性能0.163578
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PECVD0.161543
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若要查看此视频0.15844
请启用JavaScript0.15844
并考虑升级到支持HTML5视频的web浏览器0.15844
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我们的设备具有灵活的硬件选项0.130316
包括直开式0.130316
单衬底传送模式和盒式对盒式模式0.130316
以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果0.130316
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RIE0.11308

共起語上位

語1語2スコア共起ページ数
若要查看此视频请启用JavaScript3.43670242
便于使用它易于放置3.41786548
并考虑升级到支持HTML5视频的web浏览器请启用JavaScript3.28314540
可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案它易于放置2.94034836
如折射率应力2.88922524
原型设计和小批量生产的理想选择它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺2.88922524
生产均匀性好且沉积速率高的薄膜电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下2.74524920
并考虑升级到支持HTML5视频的web浏览器若要查看此视频2.70949131
如折射率设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能2.65036120
应力电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下2.62298720
星期一至星期五正常办公时间2.61365818
卓越的刻蚀深度控制平滑的刻蚀表面2.59826816
80是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案2.58972824
且能确保工艺性能直开式设计可实现快速晶圆装卸2.58972824
ALE为下一代半导体器件提供精确的刻蚀工艺控制该系统专为GaN2.56775816
HEMT应用的凹槽刻蚀和纳米尺度层刻蚀等工艺而设计该系统专为GaN2.56775816
HEMT应用的凹槽刻蚀和纳米尺度层刻蚀等工艺而设计其数字2.56775816
其数字循环刻蚀工艺可提供低损伤2.56775816
光滑的表面循环刻蚀工艺可提供低损伤2.56775816
光滑的表面数字2.56775816
周期性刻蚀工艺数字2.56775816
刻蚀领域的原子层沉积周期性刻蚀工艺2.56775816
低损伤等效工艺2.56775816
低损伤平滑的刻蚀表面2.56775816
凭借在蚀刻GaN单晶圆刻蚀技术的进展2.56775816
SiC和蓝宝石等材料方面的丰富经验凭借在蚀刻GaN2.56775816
SiC和蓝宝石等材料方面的丰富经验我们的技术既能够满足性价比的要求2.56775816
又能使器件的性能得到更优化我们的技术既能够满足性价比的要求2.56775816
RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率该工艺模块可提供出色的均匀性2.56775816
该工艺模块可提供出色的均匀性高吞吐量2.56775816
高吞吐量高精度和低损伤工艺2.56775816
适用于最大尺寸为200毫米的晶圆高精度和低损伤工艺2.56775816
支持包括GaAs和InP激光光电子适用于最大尺寸为200毫米的晶圆2.56775816
SiC和GaN电力电子支持包括GaAs和InP激光光电子2.56775816
SiC和GaN电力电子射频以及MEMS和传感器在内的多个市场领域2.56775816
designedmodule2.56775816
growthtemperatures2.56775816
enabledtemperatures2.56775816
achievesplasmas2.56775816
achievessuperior2.56775816
包括直开式我们的设备具有灵活的硬件选项2.56775816
包括直开式单衬底传送模式和盒式对盒式模式2.56775816
卓越的刻蚀深度控制非常适用于纳米尺度层刻蚀2.53212415
InstrumentsOxford2.48462716
例如2D材料非常适用于纳米尺度层刻蚀2.46169314
PlasmaTechnology2.46169314
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24小时内4小时内2.40838812
CobraICP2.3993525

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