基本情報
| サイトトップ | https://www.epi.episil.com |
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内部リンク集計
| リンク総数 | 134 |
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外部リンク集計
| リンク総数 | 4 |
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メタ情報
| meta description平均長 | 0 |
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| OGPありページ数 | 0 |
| Twitterカードありページ数 | 0 |
文字コード 分布
| キー | 割合 |
|---|---|
| utf-8 | 100.00% |
内部リンク分析（Internal）
| ユニーク内部リンク数 | 134 |
|---|---|
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内部リンク 深さヒストグラム
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キーワード分析（KeywordMap）
ワードクラウド上位
| 語 | 重み |
|---|---|
| EPi | 1 |
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共起語上位
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|---|---|---|---|
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| 原董事長黃民奇先生任榮譽董事長 | 本公司於2016年6月9日由徐建華先生擔任董事長 | 1.524325 | 4 |
| 2024年誠信經營落實情形 | 誠信經營落實情形 | 1.524325 | 4 |
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| 8吋GaN | Si的磊晶晶圓 | 1.480989 | 5 |
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| 8吋GaN | 最新發佈 | 1.480989 | 5 |
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| more | 原董事長黃民奇先生任榮譽董事長 | 1.439212 | 4 |
| more | 本公司提供GaN | 1.439212 | 4 |
| Si磊晶製程技術 | 本公司提供GaN | 1.439212 | 4 |
| Si磊晶製程技術 | 利用MOCVD在Si基板成長 | 1.439212 | 4 |
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| AlGaN和GaN複合緩衝層 | 掌握生長複合緩衝層厚度差異的技術 | 1.439212 | 4 |
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| 可減緩GaN | 和Si基板之間應力問題 | 1.439212 | 4 |
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| 元件性能和可靠度 | 本技術為公司自有開發 | 1.439212 | 4 |
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